半導體s波散射 的結果 (無引號)：
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用手征幺正法研究介子—重子S波散射--《广西师范大学》2008年硕士论文
cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10602-2008119084.htm - 轉為繁體網頁由 肖楮文 著作 - 2008对奇异数S = ?1扇区的赝标介子-重子散射(πΣ波散射),我们成功地动力学重现了 .... 王忠斌;;单轴压应变量子阱红外探测器吸收波长的研究[J];半导体技术;2011年02期 ...[PPT]少數載子的生命期
w3.cyu.edu.tw/swchu/投影片檔/半導體第三章.pptc 為平均自由時間（mean free time），約為10-12s，為平均自由徑（約10-5cm)除 ... 對輕摻雜（1014cm-3）半導體而言，晶格散射效應較顯著，所以溫度越高，遷移率越 ...[PPT]第四章 半导体的导电性
iomt.scnu.edu.cn/jpkc/_private/PPT/5.ppt 轉為繁體網頁半导体的电导率和迁移率. 迁移率与 ... 在一定的V，L，S下，不同的导体的导电性能是由电阻率或电导率决定的。 1、欧姆 .... 声学波散射： P ∝ T3/2； τs ∝ T-3/2 （4-52） ...拉塞福散射- 维基百科，自由的百科全书 - 维基百科- Wikipedia
https://zh.wikipedia.org/zh-hk/拉塞福散射在原子物理學裏，拉塞福散射（英语：Rutherford scattering）是一個散射實驗，由歐尼斯特·拉塞福領隊設計與 ... 初始速度是 v_0=2\times 10^{7}\ m/s\, ... 現今，應用這些年累積的散射原理與技術，拉塞福背散射譜學能夠偵側半導體內的重金屬雜質。橢圓偏振技術- 维基百科，自由的百科全书 - 维基百科- Wikipedia
zh.wikipedia.org/zh-hk/橢圓偏振技術它已被應用在許多不同的領域，從基礎研究到工業應用，如半導體物理研究、微電子學 ... 入射至樣品的光之偏極化狀態可被分解成「s」及「p」兩項（「s」成份為光之電場振盪 ... 且可再現的，其對散射及擾動等因素較不敏感，且不需要標準樣品或參考樣品。[PPT]chapter4半导体中载流子的输运现象
wlsyzx.yzu.edu.cn/.../chapter4半导体中载流子的输运现象... 轉為繁體網頁4.2 半导体中的主要散射机构 迁移率与平均自由时间的关系. 4.3 半导体的迁移率、电阻率 ... 令 ，称μn为电子迁移率，单位为cm2/V·s。因为电子逆 .... 波长在几十个原子间距以上的所谓长声学波对散射起主要作用，而长纵声学波散射更重要。 School of ... [PDF]第四章半导体的导电性
me.xjtu.edu.cn/pdf/chapter4.pdf - 轉為繁體網頁迁移率与杂质和温度的关系. 对于掺杂的硅、锗等原子半导体，主要的. 散射机构是声学波散射和电离杂质散射：. 由(4-55)和(4-54): *. 3/2. 1 s q m AT. µ = 3/2. * i i q T ...[PDF]Rb－ K 玻色费米混和气体量子简并的实现 - 山西大学
www.sxu.edu.cn/yjjg/ioe/lab7-E/paper/chhx.pdf3.1.2 外腔光栅反馈半导体激光器…………………………………………34. 3.1.3 注入 ..... 碰撞能量为0 的极限条件下，用散射长度a 表征S 波散射，a 定义为. ( ). 0. 0 ...
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