半导体，常温下，热运动激发出的电子和空穴不超过1.5×1010/cm3。通过掺杂1016/cm3

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半导体，常温下，热运动激发出的电子和空穴不超过1.5×1010/cm3。通过掺杂1016/cm3。对于Si材料，一些器件要求位错密度控制在103/cm2以下。 从具体来看，杂质 ...