Sunday, May 12, 2013

semi01 p、n區接觸後,p型半導體中的空穴向N型半導體中擴散,而n型半導體中的電子向p型半導體中擴散。 導致界面兩側出現正負電荷的積累,形成由N區指向p區的結電場,並阻止電子和空穴的進一步擴散。 當達到動態平衡時,形成由n向p逐漸遞減的結電壓U0,稱為pn結的接觸電勢差。 從而使pn結兩端電子具有能量差eU0(電子帶​​負電,勢能越高處能量越低。因p端電勢低,所以p端電子能量大)。 pn結形成前後的能帶如圖8所示。 這一電勢差相當於一個勢壘,阻止雙方的進一步擴散。

p、n區接觸後,p型半導體中的空穴向N型半導體中擴散,而n型半導體中的電子向p型半導體中擴散。 导致界面两侧出现正负电荷的积累,形成由N区指向p区的结电场,并阻止电子和空穴的进一步扩散。導致界面兩側出現正負電荷的積累,形成由N區指向p區的結電場,並阻止電子和空穴的進一步擴散。 当达到动态平衡时,形成由n向p逐渐递减的结电压U0,称为pn结的接触电势差。當達到動態平衡時,形成由n向p逐漸遞減的結電壓U0,稱為pn結的接觸電勢差。 从而使pn结两端电子具有能量差eU0(电子带负电,势能越高处能量越低。因p端电势低,所以p端电子能量大)。從而使pn結兩端電子具有能量差eU0(電子帶​​負電,勢能越高處能量越低。因p端電勢低,所以p端電子能量大)。 pn结形成前后的能带如图8所示。 pn結形成前後的能帶如圖8所示。 这一电势差相当于一个势垒,阻止双方的进一步扩散。這一電勢差相當於一個勢壘,阻止雙方的進一步擴散。



分子与固体.ppt - 华南理工大学

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