粒子体系基态受某种微扰的响应,这一响应的最简单形式就是准粒子的产生和湮灭

实际上这个

KS带隙与半导体的真正

带隙并没有物理的同一性。这是因为激发态在物

理上是描述体系基态受某种微扰的响应。对于多

粒子体系而言

,这一响应的最简单形式就是准粒子

的产生和湮灭。换句话说

,它涉及体系的粒子数变

化

 

http://210.34.4.6/dspace/bitstream/2288/7752/1/%E6%BF%80%E5%8F%91%E6%80%81%E8%BF%87%E7%A8%8B%E7%9A%84%E5%A4%9A%E4%BD%93%E7%90%86%E8%AE%BA%E6%96%B9%E6%B3%95.pdf

: N ·N +1或N ·N - 1。即,体系真实带隙的计

算应涉及两个不同电子数体系的总能之差: