Thursday, June 4, 2015

間接半導體:如Si,電子在價電帶與導電帶中躍遷,需要遵守動量守恆。所以躍遷發生除了所需能量外,還包括與晶格的交互作用

[PPT]多數載子
w3.uch.edu.tw/swchu/投影片檔/半導體第二章.ppt
整理:熱平衡時,加入摻質不會改變電子電洞濃度的乘積,但會使費米能階朝向Ec或Ev移動. 載子濃度與摻質濃度. 若摻質為淺層施體,在室溫下即有足夠的能量游離出 ...
l直接半導體:GaAs,電子在價電帶與導電帶中躍遷,不需要改變動量。所以光電子產生的效率高,適合作為半導體雷射或其他發光元件的材料。

l間接半導體:如Si,電子在價電帶與導電帶中躍遷,需要遵守動量守恆。所以躍遷發生除了所需能量外,還包括與晶格的交互作用。

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