HgCdTe薄膜的反局域效应
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引言电子在输运过程中一般会受到弹性和非弹性两种类型的散射.电子与杂质原子的弹性散射不改变散射前后的相位关系,电子保持相位的相干性;而电子与声子以及电子与电子的非弹性散射则破坏了相位的相干性.电子退相干时间(τ)[1]反映了非弹性散射导致相位相干性破缺的特征时间,是量子干涉效应中决定电子保持相位相干尺度的重要物理量.由于弹性散射使一无规闭合路径中沿相反方向传播的两个电子波发生量子干涉,使电子返回起点的概率增加,导致电阻率增加或电导率减小,使电子产生弱局域化[1](weak
localization,WL).如果存在外加磁场,则沿相反方向传播的两个电子波将得到磁场引起的相位差,破坏闭合回路的时间反演对称性,降低电子回到出发点的概率,导致电阻随磁场增加而降低(负磁电阻或正磁电导).无序系统中电子的准费米波矢KF和平均自由程l的乘积KFl是反映电子局域化程度的重要指标.当KFl>1时,电子处于弱局域的范畴;当KFl～1时,电子处于强局域[2](strong
localization,SL)的范畴.如果系统具有较强的自旋-轨道耦合(spin-orbitinteraction,SOI),那么自旋(本文共计4页)......[继续阅读本文]二维自旋轨道耦合系统中自旋霍尔效应以及相关输运性质的 ...
wenku.baidu.com/view/3cb297d2b9f3f90f76c61bbc.html
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二维自旋轨道耦合电子系统中的自旋霍尔效应_百度文库
doc.baidu.com/view/ae97b33e0912a216147929f6.html
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自旋轨道耦合和自旋流的研究若干进展 - 物理
HgCdTe薄膜的反局域效应 - 数字出版物超市 - 中国知网
mall.cnki.net/magazine/Article/HWYH201302009.htm
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综上得出，多电子耦合系统中，相互作用产生的总效果为零，说明多电子作用有 ... 如果银原子的速率为400m/s，线束在屏上的分裂间距为2.0mm，试问磁场强度 ... 若把氢原子换成氯原子(基态为)，其它实验条件不变，那么，在屏上可以接受到几条氯束线? ..... 5-6 假设两个等效的d电子具有强的自旋-轨道作用，从而导致j-j耦合，试求它们 ...
试问电子自旋平行于和反平行于磁场的电子的能量差为多大?
www.sxu.edu.cn/yjjg/jggpsys/staff/第4－6章解答1.doc
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的产生、探测，自旋弛豫/去相位机制，以及III-V 族半导体材料中自旋轨道耦合的来 .... 式研究了二维介观空穴系统中的自旋霍尔效应。 ... 穴与自旋向下的重(轻)空穴之间没有任何的关联时，仍然有自旋霍尔效应，且与Γ 点 ... 如果从一端注入无极化的重空穴，在选择合适的端口电压后，可以在横 ...... 的π 角度，那么通过的电流就很小。
博士学位论文 - Prof. Dr. Ming-Wei Wu - 中国科学技术大学
wu.ustc.edu.cn/~mwu/thesis/Zhouj_PhD.pdf
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如果对已有的研究结果进行简单的分类，根据不同的分类. 标准，可以有 ... EY机制是指，在存在自旋轨道耦合的情况下，精确的Bloch态不是自旋的本征态，而是 ... Elliot［4］和Yafet［5］第一次指出，晶体中的自旋轨道相互作用可以造成具有相反自旋取向 ..... 考虑这种减小有3种原因：（1）GaN有较小的自旋轨道耦合常数；（2）GaN.
半导体中的自旋弛豫 - 物理学进展
pip.nju.edu.cn/Home/DownloadPDF/521
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