价带电子如何受到电场作用激发到导带？
外加电场平行于价带的话，电子如何沿着电场上去？
谢谢！
能级图：
外加电场平行于价带的话，电子如何沿着电场上去？
谢谢！
能级图：
应该是受到一定的能量，
应该是克服一定势垒就可以发生跃迁吧，我不知道你说的平行是什么意思，但是在半导体中好像是克服势垒就可以跃迁
Originally posted by ahwolfking at 2011-04-26 1025:
应该是克服一定势垒就可以发生跃迁吧，我不知道你说的平行是什么意思，但是在半导体中好像是克服势垒就可以跃迁
谢谢回答，我已上传能级图，不知是否表达清楚。外加电场是横向的，为何竖着方向能激发电子，这点弄不明白了。应该是克服一定势垒就可以发生跃迁吧，我不知道你说的平行是什么意思，但是在半导体中好像是克服势垒就可以跃迁
我不清楚为什么电场要考虑是否平行，我的理解如下，如果您知道了正确解释麻烦也告诉我一声，谢谢！
1.电子跃迁是个隧穿过程，所以电子能量越高，跃迁所需克服的势垒就越小，甚至没有势垒。
2.在实际半导体中，没有绝对的平行面
3.平行电场对电子也有加速作用，使电子能量升高，可以提高电子的跃迁概率。
1.电子跃迁是个隧穿过程，所以电子能量越高，跃迁所需克服的势垒就越小，甚至没有势垒。
2.在实际半导体中，没有绝对的平行面
3.平行电场对电子也有加速作用，使电子能量升高，可以提高电子的跃迁概率。
在电场作用下，电子会发生振动获得能量，当能量达到一定能垒时就会发生跃迁，图只是一种形象的表示，实际原子中并非如此。不知道这样说对不对？
接受能量。。。电子跃迁
楼主把这个问题弄复杂了。
首先，你应该把图中的电场和能级图分开看，他们不是一个空间的东西。电场是实空间的，他的方向实实在在表示一个半导体（或pn结）所加的外部电场方向，而能级图是倒空间的表达，他的横坐标没有实际的物理意义，你潜移默化画出的能级图是第一布里渊区的能态分布。因此，并不是电场横向，而电子在纵向上跃迁。
其次，从你能级图上是想说明发光的。发光激发有三种：电激发、热激发、光激发。发光是在PN结的结处发生的。图中的电场方向可以用来判定你这个实际的PN结哪一端是P型，哪一端是N型的。在电场的作用下，电子和空穴都会向结处运动，当受到一个微扰后，他们复合发光。图中的箭头标出了几种可能的激发，复合方式。
建议楼主看一些半导体物理的基础书，就不会对这个问题迷惑了，我的回答也有很多省略的地方，看起来也许有一些漏洞。
首先，你应该把图中的电场和能级图分开看，他们不是一个空间的东西。电场是实空间的，他的方向实实在在表示一个半导体（或pn结）所加的外部电场方向，而能级图是倒空间的表达，他的横坐标没有实际的物理意义，你潜移默化画出的能级图是第一布里渊区的能态分布。因此，并不是电场横向，而电子在纵向上跃迁。
其次，从你能级图上是想说明发光的。发光激发有三种：电激发、热激发、光激发。发光是在PN结的结处发生的。图中的电场方向可以用来判定你这个实际的PN结哪一端是P型，哪一端是N型的。在电场的作用下，电子和空穴都会向结处运动，当受到一个微扰后，他们复合发光。图中的箭头标出了几种可能的激发，复合方式。
建议楼主看一些半导体物理的基础书，就不会对这个问题迷惑了，我的回答也有很多省略的地方，看起来也许有一些漏洞。
接受能量。。。电子跃迁
Originally posted by jluxiaoxi at 2011-04-27 2156:
楼主把这个问题弄复杂了。
首先，你应该把图中的电场和能级图分开看，他们不是一个空间的东西。电场是实空间的，他的方向实实在在表示一个半导体（或pn结）所加的外部电场方向，而能级图是倒空间的表达，他的横坐 ...
谢谢这么详细的分析，图示确实需要完善。楼主把这个问题弄复杂了。
首先，你应该把图中的电场和能级图分开看，他们不是一个空间的东西。电场是实空间的，他的方向实实在在表示一个半导体（或pn结）所加的外部电场方向，而能级图是倒空间的表达，他的横坐 ...
我的目的是用电致发光的方式测量绝缘体，因为绝缘体的禁带很宽，所以在里面引入杂质能级，可以让电子分部跃迁，最后到达导带，这样的发光应该跟半导体PN结发光有区别吧。
楼主 你明显搞混淆了，自己看看书
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