Tuesday, July 22, 2014

charge01 當半導體元件微縮至深次微米之領域時 隨著元件之縮小，電荷共享效應（charge sharing effect）越來越.明顯, 會有不好的短通道效應(Short. Channel Effect， SCE) 出現

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130nm下的DICE结构电荷共享效应研究_百度文库

wenku.baidu.com/view/99e5496f25c52cc58bd6be9a.html
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在这么高的点位电路节点邻节点由于他们距离十分近， 从而产生了电荷共享效应。 这篇文章探讨了临近节点受到单粒子影响导致的电荷共享。基于三维TCAD模拟, ...

矽奈米線場效電晶體之研究

ir.lib.ntnu.edu.tw/retrieve/46588/metadata_03_09_s_05_0032.pdf

當半導體元件微縮至深次微米之領域時，金氧半場效電晶體具環繞閘. 極結構（Surrounding ... 場效電晶體元件。本研究之矽奈米線場效電晶體，其奈米線定義範圍為直.
 
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矽奈米線場效電晶體之研究

ir.lib.ntnu.edu.tw/retrieve/46588/metadata_03_09_s_05_0032.pdf

碩士論文. 矽奈米線場效電晶體之研究. Silicon Nanowire Field Effect ...... 隨著元件之縮小，電荷共享效應（charge sharing effect）越來越. 明顯，使得短通道效應（short ...
 
 
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矽奈米線場效電晶體之研究

ir.lib.ntnu.edu.tw/retrieve/46588/metadata_03_09_s_05_0032.pdf

（Short-Channel Effects）且具備理想之次臨界斜率（Ideal Subthreshold. Slope）。短通道效應使得元件應用數位電路時，產生漏電流（Leakage. Current）導致不必要之 ...

  • 矽奈米線場效電晶體之研究__臺灣博碩士論文知識加值系統

    ndltd.ncl.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi/login?o=dnclcdr&s=id...
    論文名稱: 矽奈米線場效電晶體之研究 ... effect transistors have shown promise in both the short-channel effect and in achieving a nearly ideal subthreshold slope.
  • [PDF]

    國立高雄大學電機工程學系(研究所) 碩士論文

    ethesys.nuk.edu.tw/ETD-search/getfile?URN=etd-0110108...etd...

    由 王振安 著作 - ‎2008 - ‎相關文章
    在著二大瓶頸，一是當元件不斷的微縮，將會有不好的短通道效應(Short. Channel Effect， SCE) 出現，其二是傳統介電質(dielectric)二氧化矽. 氧化層厚度已將接近 


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