Tuesday, July 22, 2014

硅中热输运的载流子一一声予的平均自由程约为O．2～O．3微米

纳米线结构中的声学振动及热输运性质_百度文库

wenku.baidu.com/view/4b3123a3284ac850ad0242fd.html
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就电子而言，当器件长度小于电子的平均自由程时，其输运不再遵循通常的欧姆 ..... 例如，硅中热输运的载流子一一声予的平均自由程约为O．2～O．3微米［53，541。

  • 纳米线结构中的声学振动及热输运性质.pdf - 豆丁网

    www.docin.com/p-458487262.html
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    2012年8月10日 - 纳米线结构中的声学振动及热输运性质.pdf 详细» .... 就电子而言，当器件长度小于电子的平均自由程时，其输运不再遵循通常的欧姆定律，电子 ..... 例如，硅中热输运的载流子一一声予的平均自由程约为O．2～O．3微米［53541。

  • phymath999: india01 朗道What is novel in quantum ...

    phymath999.blogspot.com/2014/.../india01-what-is-novel-in-quantum.ht...
    2014年7月14日 - 纳米线结构中的声学振动及热输运性质 .... 公里的電磁波 · 毫米、微米和奈米1奈米= 十億分之1米(10-9 meter)，約為分子或DNA的大小， 或是頭髮. ... 第一级近似 · 平均场理论(Mean-field Theory) ,这个有效场包含了所有其他电子对该电. ... 等離子體是由自由電子、各種自由離子組成的，它們之間的相互作用是庫侖力。

  • phymath999

    phymath999.blogspot.com/
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    2012年8月10日 - 纳米线结构中的声学振动及热输运性质.pdf - 豆丁网 ... 脱离原子成为自由电子, 在晶格中运动, 形成所谓的电子导电; 二是电子与原子. ..... 電磁波 · 毫米、微米和奈米1奈米= 十億分之1米(10-9 meter)，約為分子或DNA的大小， 或是頭髮. ... 级近似 · 平均场理论(Mean-field Theory) ,这个有效场包含了所有其他电子对该电.
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    晶胞是构成晶体的基本重复单元．在二氧化硅晶胞中 ... - 魔方格

    www.mofangge.com/html/.../05/.../9murg005140201.html
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    在二氧化硅晶胞中有8个硅原子位于立方晶胞的8个顶角，有6个硅原子位于晶胞的6个面心，还有4个硅原子与16个氧原子在晶胞内构成4个硅氧四面体，-化学-魔方格.
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    非晶态材料硅的电子态密度的理论计 - 半导体学报

    www.jos.ac.cn/bdtxben/ch/reader/create_pdf.aspx?file...
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    由 傅卓武 著作
    取太大的类晶元胞,同时，为了体现非晶态内部的多种可能的结构，可以增加类品的 ... 由于仅计人最近邻相互作用已能较好地描述晶体硅的D(〕S 主要特征删,所以,我们.
  • [PDF]

    考虑高指数晶面的体硅腐蚀模拟新;(模型" - 半导体学报

    www.jos.ac.cn/bdtxben/ch/reader/create_pdf.aspx?file...
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    由 周再发 著作 - ‎被引用 2 次 - ‎相關文章
    摘要针对目前体硅腐蚀"硅各向异性腐蚀#的W4&0 模型无法引入"!MM#! ... 建立了一种高精度的体硅腐蚀模拟的新W4 连续&0"元胞自动机#模型9模型可以有效. 引入"!

  • 新超导体探索与碳化硅晶体新效应研究- Materials Views 中国

    www.materialsviewschina.com › 频道 › 纳米
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    2014年4月23日 - 新超导体探索与碳化硅晶体新效应研究. 2014年04月23 .... 图3 (a) 含有一个双空位的碳化硅超级元胞（192个原子）的自旋态密度图。(b) 相应碳化硅 ...

  • 硅酸盐晶体化学_互动百科

    www.baike.com/wiki/硅酸盐晶体化学
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    这些晶体化学原理决定了硅酸盐中Si4+必定以强键与O2-键连接组成硅-氧四面体，每个 ... A 型分子筛钠盐属立方晶系,晶胞参数a＝24.64埃,若不考虑Si和Al的差别，取 ...

  • 基于元胞自动机模型的硅各向异性腐蚀模拟_CNKI学问

    xuewen.cnki.net/CMFD-1012309835.nh.html
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    计算机模拟硅的各向异性腐蚀技术经常采用的两种模型为几何模型和元胞自动机 .... 通过分析单晶硅结构特点，提出了以硅晶胞为最小处理单位的设计思想，采用动 ...

  • 二氧化硅的晶胞分析_化学自习室

    www.hxzxs.cn/html/13970.html
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    在二氧化硅晶胞中有8个硅原子位于立方晶胞的8个顶角，有6个硅原子位于晶胞的6个面心，还有4个硅原子与16个氧原子在晶胞内构成4个硅氧四面体，它们均匀错开 ...

  • 硅各向异性腐蚀过程模拟的元胞自动机方法 - Google

    www.google.com/patents/CN1810628A?cl=zh - 轉為繁體網頁
    2006年8月2日 - 硅各向异性腐蚀过程模拟的元胞自动机方法是硅各向异性腐蚀过程模拟技术，该方法满足以下两个条件：a、采用硅的晶格结构作为元胞自动机的晶格 
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    矽奈米線場效電晶體之研究

    ir.lib.ntnu.edu.tw/retrieve/46588/metadata_03_09_s_05_0032.pdf
    當半導體元件微縮至深次微米之領域時，金氧半場效電晶體具環繞閘. 極結構（Surrounding ... 場效電晶體元件。本研究之矽奈米線場效電晶體，其奈米線定義範圍為直.
     
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