tw01 假設立方晶體的邊長為t，最佳厚度根據：(1)繞射強度與晶體的分子個數成正比

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假設立方晶體的邊長為t，最佳厚度根據：(1)繞射強度與晶體的分子

個數成正比，晶體體積愈大，所含的原子個數亦愈多，表示繞射強度I與晶體體積t3成比例;（2）

晶體愈厚，穿透的X光強度愈弱，與e-μt成比例。