Saturday, January 2, 2016

有效质量并不代表真正的质量,而是代表能带中电子受外力时,外力与加速度的一个比例系数(在准经典近似中,晶体电子在外力F*作用下具有加速度a*,所以参照牛顿第二定律定义的m*=F*/a*称作惯性质量)。

。而跃迁到导带上的电子,就是脱离了共价键的束缚成为准自由电子的电子。电子和空穴是成对出现的,数目相等,这是本证激发。

有效质量_百度百科

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有效质量并不代表真正的质量,而是代表能带中电子受外力时,外力与加速度的一个 ... 的半导体(如Si)中载流子的能态密度函数,还引入了所谓状态密度有效质量


有效质量- 维基百科,自由的百科全书

https://zh.wikipedia.org/zh/有效质量
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Bulk Si,Ge,GaAs和InAs用紧束缚模型计算得到的能带结构. 有效质量 ... 有效质量是一个很重要的概念,它把晶体中电子准经典运动的加速度与外力直接联系了起来。


有效質量- 台灣Wiki

www.twwiki.com/wiki/有效質量
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Aug 8, 2013 - 負的有效質量說明晶格對電子作負功,即電子要供給晶格能量,而且電子供給晶 ... 如Si)中載流子的能態密度函數,還引入了所謂狀態密度有效質量


SiGe的能带结构——SiGe的有效质量- 金属材料专业知识百科网

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式中,h为普朗克常数;kt和k1分别为波失的横向和纵向的分量,mt和m1分别为电子的横向质量和纵向质量。 表4.3-2列出了纯Si和纯Ge的电子有效质量,这些数据都是 ...


有效質量- 王朝網路- wangchao.net.cn

tc.wangchao.net.cn › 百科
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(2)對于立方晶體,爲了讓電導率是一個標量,可引入所謂電導率有效質量;例如Si導帶電子的電導率有效質量mcn與導帶底的橫向有效質量mt*和縱向有效質量ml*的 ...


载流子有效质量- 微电子百科,半导体百科-中国微电子网

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May 21, 2010 - 对于价带顶附近空穴的有效质量,问题将更加复杂,因为Si、Ge、GaAs等常见半导体的价带顶是两个能带(重空穴带和轻空穴带)简并(退化)的,原则 ...


单轴应变Si(001)任意晶向电子电导有效质量模型 - 物理学报

wulixb.iphy.ac.cn/CN/abstract/abstract52428.shtml - Translate this page
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应变Si电子电导有效质量模型 - 物理学报

wulixb.iphy.ac.cn/CN/abstract/abstract17448.shtml - Translate this page
by 赵丽霞 - ‎2010 - ‎Cited by 5
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应变Si电子电导有效质量模型. 赵丽霞, 张鹤鸣, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071. Model of ...


[PPT]光电材料与半导体器件

eclass.tyust.edu.cn/eol/jpk/course/.../download.jsp?...
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有效质量应用到经典力学的方程中,可以正确地预测晶体中的电子在受到来自外部的 .... 对Si沿[100]方向运动的电子,有一个有效质量,叫做纵有效质量 ;还有两个横 ...


[PPT]02-光電半導體(一)

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元素:矽(Si)、鍺(Ge); 化合物: 二元(binary)-例如GaAs,用於高速、光電元件。 .... 將其中的自由電子質量修正成mn(電子在晶體中的有效質量),則以上之公式變為.

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