晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成
空间电荷层,并建有自建
电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边
载流子浓度差引起的
扩散电流和自建电场引起的
漂移电流相等而处于电
平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了
正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向
偏置电压值无关的
反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定
程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子
空穴对,产生了数值很大的
反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和
雪崩击穿之分。
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