Sunday, November 23, 2014

semi01 brain01 空穴有效质量大于电子有效质量 品格完整,如果有一个电子从共价键中释放出来,必定留下一个空穴 温下,由于热运动的结果,在本征半导体中会产生一定数量的电子一空穴对,形成电子流

第1章纳米材料与器件及其特征_在线阅读_第8页-文库大全
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考虑到半导体中电子空穴有效质量一般比真空质量小,又存在较大的介电常数, 所以半导体中激子的电离能一般远小于氢原子的电离能。 激子基态结合能:是指作为 ...

为什么空穴有效质量大于电子有效质量




半导体电中性条件_百度百科

baike.baidu.com/view/2707059.htm 轉為繁體網頁
一般,半导体中的电荷有四种:导带电子的负电荷[A],价带空穴正电荷[B],电离施主的正电荷[C]和电离受主的负电荷[D];热平衡时的电中性即要求负电荷密度=正 ...
 
Apr 19, 2009
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因为它品格完整,如果有一个电子从共价键中释放出来,必定留下一个空众。所以本征半导体中电子和空众总是成对地出现,它们的数日相等,称为电子一空穴对。在常温下,由于热运动的结果,在本征半导体中会产生一定数量的电子一空穴对,形成电子流


电子有效质量计算

作者: 鹰羽龙 (站内联系TA)    发布: 2013-09-16
我最近想要计算电子有效质量,看了孙彧730版主的如何计算有效质量的技术贴http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=4350813,获益匪浅,但是还是有几个问题不太明白。我算的是体心立方结构,导带底在Gamma点,体心立方的布里渊区特殊点如图所示。我的问题是:
1.我的能带图是p4vasp导出的,横坐标是一串数字,比如gamma到H点横坐标是从0到0.0967之间的一些点,对数据做拟合或微分求gamma点二阶导数的时候得到的值大约1100,如果这个1100的单位是eV/(2Pi/a)^2,晶格常数a=10.12埃,算出来的有效质量为0.002个电子质量,与理论或文献值差别巨大(大约0.3电子质量),问题出在哪呢?
2.如果要分别算kx ky kz三个方向的电子质量,算能带的时候如何取特殊点?孙彧730版主在另外一个帖子建议取三条分别平行于这3个方向的特殊点路径,但是有两个方向的路径都不是过导带底的路径,这样不会影响计算结果吗?http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=4386039&fpage=2
这两个问题困扰了我好几天,各位帮帮忙吧,金币奉上!

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我也遇到同样的问题,很想知道答案!顶起来啊!
建议:
把能量单位由eV换成Hartree,把能带结构横坐标单位换成1/bohr(不带任何系数),再进行拟合、求导计算,即可直接得到以电子质量为单位的有效质量。
这种情形下用原子单位制比较简单。
3楼: Originally posted by liqizuiyang at 2013-09-17 09:14:43
建议:
把能量单位由eV换成Hartree,把能带结构横坐标单位换成1/bohr(不带任何系数),再进行拟合、求导计算,即可直接得到以电子质量为单位的有效质量。
这种情形下用原子单位制比较简单。
谢谢!请问横坐标怎么转换成1/bohr呢?
4楼: Originally posted by 鹰羽龙 at 2013-09-17 10:48:11
谢谢!请问横坐标怎么转换成1/bohr呢?...
这要看p4vasp输出单位,我没用过p4vasp所以不清楚。





在正常情況下,矽中並無自由電子,因此其為良好的絕緣體。但若將少量的磷加至矽中,則矽晶體中將出現額外的電子,其稱為n-型半導體(n-type semiconductor),取其・負・(negative) 電荷之意。反之,若矽晶體中滲入少量的硼,則矽晶體中將出現若干「電洞(hole)」,該電洞猶如帶正電般,因而稱為p-(p-type) 半導體,取其・正・(positive) 電荷之意。當上述兩種半導體連接一起時,其形成p-n連結(p-n junction)。當光線撞擊太陽電池時,光線效應將產生電子和電洞現象,進而於p-n連結處形成電位障礙。此時若於太陽電池的n-型及p-型端以電路連接,則電子將由前者流向後者而形成電子流( 電流的方向則相反)

http://electrical.csu.edu.tw/Material/100/4T/EE4Y/458503.pdf

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