Friday, August 22, 2014

导体、绝缘体和半导体的能带论 价电子(s电子)， s，p带填满，为绝缘体或半导体

表面电子结构_百度百科

baike.baidu.com/view/2481410.htm
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跳至 宽带隙半导体表面电子结构的理论研究 - 2）CuCl（110）表面弛豫后电子态的变化是Cu的d态电子和Cl的p态电子的重新杂化起了主要作用。表面弛 ...

  • 非晶态半导体_百度百科

    baike.baidu.com/view/1362685.htm
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    在理论方面，P.W.安德森和N.F.莫脱建立了非晶态半导体的电子理论，并因而 .... 可以形成两个共价键，通常呈链状结构，另外有两个未成键的p电子称为孤对电子。
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    第四章

    120.118.224.101/Insti-Web/display/.../99-1/半導體物理/lecture04.pdf
    第四章平衡態半導體. 1 ... 本章先說明平衡態半導體，所謂平衡態(equilibrium)或指 ... 對本質半導體而言為保持電中性其電子濃度=電洞. 濃度(n. 0. =p. 0. =n.

  • 电子材料导论 - 第 181 頁 - Google 圖書結果

    books.google.com.hk/books?isbn=7302043965 - 轉為繁體網頁
    2001 - ‎Electronics
    仪二 F /们 p 3 ·本征半导体、 N 型半导体、 P 型半导体《5·1·7)半导体载流子主要来源于本征激发和杂质电离。在一定的温度下,总有一些电子获得足够的能量,从价带 ...
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    第二章半导体中的杂质和缺陷能态

    jpkc.nwu.edu.cn/.../a42804df7f74c59a9dfc89ad1a05e73c....
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    用P 原子代替一个Si 原子后，形成了一个正电中心P+和一个多余的价电子，这个价电子很容易 ... P 为半导体材料提供了一个自由电子，故P 称为施主杂质或n 型杂质。
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    第二章半导体中杂质和缺陷能级

    jpkc.nwu.edu.cn/.../0220f53b3d2b93817b8a5546c0d433...
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    P原子代替Si原子后，为半导体提供了一个自由电子，称为施主杂质. 或n型杂质。 ... 价电子脱离杂质原子成为自由电子的过程称为杂质电离，所需要的能. 量称为杂质 ...

  • 近代物理学进展 - 第 75 頁 - Google 圖書結果

    books.google.com.hk/books?isbn=7302025215 - 轉為繁體網頁
    1997 - ‎Nuclear physics
    齐纳击穿本质上是一种电子的量子隧穿过程,在 6 · 5 节中将要详细讨论,这里主要对 ... 简并 PN 结的平衡态能带图将电子注入一个半导体 PN 结的 p 区也可以使电子在导带与 ... 图中所示为"大于卢的情形,阴影表示填充的电子态,半导体能隙宽度为 E 。。
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    第七章半导体物理简介

    course.bnu.edu.cn/course/ssphysics/html/.../31ch7.pdf
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    杂质对半导体的性质和广泛应用有着重要的作用。n型半导体和p型半导体就是半导体 ... 例如，室温时纯净半导体Si中的电子浓度为1.0×1010cm-3，若掺入杂质P.

  • §5.8 导体、绝缘体和半导体的能带论

    spe.sysu.edu.cn/course/course/10/build/lesson5-8.htm
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    b) 碱土金属，二个价电子(s电子)，对一维情况能带填满，为绝缘体；三维晶体各方向上带宽不等的能带产生重迭，结果仍然 ... d) 对C，Si，Ge等，s，p带填满，为绝缘体或半导体。 .... 对锗沿高对称方向理论推导的能带E(k)（右）及其对应的电子态密度（左）。
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