低维体系的不稳定性和电子关联邂 - 物理学进展
pip.nju.edu.cn/Home/DownloadPDF/205
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UPt3文献调研 & landau level & de Haas van Alphen_多马_新浪博客
blog.sina.com.cn/s/blog_5364f9f201019h7f.html - 轉為繁體網頁
强磁场下的固体物理研究进展#
猜高桌人离婚日期 - 豆瓣
www.douban.com/group/topic/39633633/ - 轉為繁體網頁
無標題文件 - 材料模擬實驗室李明憲研究群
163.13.111.70/group_teaching/2010_NSC_apply_draft.html
直接能隙 - 知识搜索
search.cnki.com.cn/search.aspx?q=直接能隙
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有机磁性体[Ni(cyclam)][Cu(tfadt)_2]及Co(N_3)(4 ... - 学位论文
cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10487-2010211396.htm - 轉為繁體網頁
由 沈青松 著作 - 2009
通过第一性原理计算,发现前面三个材料是有机磁性半导体材料,第一个和第二个材料的自旋向上电子态密度与费米面相切,第三个材料的自旋向下电子态密度与费米 ...有机磁性体“Ni(cyclam)”“Cu(tfadt)_2”及Co(N_3)(4 ... - 学位论文
cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10487-1011272810.htm - 轉為繁體網頁
由 沈青松 著作 - 2009
通过第一性原理计算,发现前面三个材料是有机磁性半导体材料,第一个和第二个材料的自旋向上电子态密度与费米面相切,第三个材料的自旋向下电子态密度与费米 ...能隙规律 - 知识搜索
search.cnki.com.cn/search.aspx?q=能隙规律
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利用菲涅尔圆孔衍射探测AFeSe 三元化合物超导配对 ... - 燕山大学学报
xuebao.ysu.edu.cn/oa/pdfdow.aspx?Type=pdf...
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