鑽石底碳化矽：LED 的夢幻基材（上）
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鑽石底碳化矽：LED 的夢幻基材（上） .... 體結構，其間原子距離的差異不及3% 。 若以碳化矽為基材生長氮化鋁的 .... 度及電子能隙；後者較鬆散，因此熱脹冷. 縮稍快。
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度及電子能隙；後者較鬆散，因此熱脹冷. 縮稍快。晶格成形時若壓力較大或溫度較. 低會形成六方晶系，反之則易長出立方晶. 系。由於兩者的平衡能量差異甚小。這時.
2009六月 - 中華民國自動化科技學會- ciae
www.ciae.org.tw/magazine/Automation2009_06.pdf
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度及電子能隙；後者較鬆散，因此熱脹冷. 縮稍快。晶格成形時，若壓力較大或溫度. 較低會形成六方晶系，反之則易長出立方. 晶系。由於兩者的平衡能量差異甚小，這.
鑽石底碳化矽：LED 的夢幻基材（上）
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石墨層(Graphene)為當今最熱門的材料科學研究題目，它的導電率比銅高百倍而 .... 即原子的撞擊距離(Collision Distance)比氣相小十倍(密度比氣相大千倍)，液相生長及 ... 漂浮在金屬液體的石墨層可以長成極大的面積，而其平面可自金屬剝離，有如 ...
鑽石底碳化矽：LED 的夢幻基材（上）
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鑽石底碳化矽：LED 的夢幻基材（上）. SiC on Diamond: LED's Dream ..... 體原子的平均自由程(Mean Free Path)或撞. 擊距離(Collision Distance)比液體大萬倍以.
材料世界網:液相催化生長大面積的石墨層(上)
www.materialsnet.com.tw/DocView.aspx?id=8074
由 宋健民 著作
2009年9月25日 - 由於液相的平均自由程(Mean Free Path)即原子的撞擊距離(Collision Distance)比氣相小十倍（密度大千倍），液相生長及晶格修正的速度可大幅 ...利用天然石墨生長大面積石墨層 - 越吟有限公司：文章摘要
www.mmmpc.com.tw/yuehyin/MagSummary.aspx?ID=504&MID...
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石墨層(Graphene)為當今最熱門的材料學研究題目，它的導電率比銅高. 百倍而強度則 .... 的平均自由程(Mean Free Path)，即原子的撞擊距離(Collision Distance)，比.
液相催化生長大面積的石墨層
www.taidiam.com/downloadsfront.do?method=picker...3...
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光電目前為台灣LED 的龍頭大廠，亦是紅、黃光LED 全球最大供應商，藉 ...... Free Path)或撞擊距離(Collision Distance). 比液體者大萬倍以上，碳化矽的磊晶生長.
2009六月 - 中華民國自動化科技學會- ciae
www.ciae.org.tw/magazine/Automation2009_06.pdf
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DOC檔
psroc.phys.ntu.edu.tw/bimonth/v24/579.doc
由 宋健民 著作
但是核子的結合能(MeV)比原子的結合能(eV)高上百萬倍，所以核燃料的體積比化學 ..... 光子的濃度(強度)，即單位體積的粒子數與其撞擊距離(Collision Distance)或 
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