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2009六月 - 中華民國自動化科技學會- ciae
www.ciae.org.tw/magazine/Automation2009_06.pdf
光電目前為台灣LED 的龍頭大廠，亦是紅、黃光LED 全球最大供應商，藉 ...... Free Path)或撞擊距離(Collision Distance). 比液體者大萬倍以上，碳化矽的磊晶生長.
矽晶半導體乃
液體拉出而成，由於原子在液體內擴散迅
速，若能緩慢凝固，其晶格內的缺陷較
少。碳化矽不能形成液體，只好由氣相沈 積。由於氣體原子的平均自由程(Mean Free Path)或撞擊距離(Collision Distance)
比液體者大萬倍以上，碳化矽的磊晶生長
速度極低。更有甚者，原子堆積時可能來
不及遷移到穩定的平衡位置，因此氣相沈
積的碳化矽內的缺陷一旦生成就難以消 除
液體拉出而成，由於原子在液體內擴散迅
速，若能緩慢凝固，其晶格內的缺陷較
少。碳化矽不能形成液體，只好由氣相沈 積。由於氣體原子的平均自由程(Mean Free Path)或撞擊距離(Collision Distance)
比液體者大萬倍以上，碳化矽的磊晶生長
速度極低。更有甚者，原子堆積時可能來
不及遷移到穩定的平衡位置，因此氣相沈
積的碳化矽內的缺陷一旦生成就難以消 除
週期表Ⅲ-Ⅴ族的氮化物包括 BN、 AlN、GaN 及 InN，它們不僅是固溶體， 而且都可形成立方晶系的纖鋅礦(Würtzite) 晶格及立方晶系的閃鋅礦(Sphalerite)晶
格。前者比後者緊密，具有較高的原子密
度及電子能隙；後者較鬆散，因此熱脹冷
縮稍快。晶格成形時若壓力較大或溫度較
低會形成六方晶系，反之則易長出立方晶
系。由於兩者的平衡能量差異甚小。這時
基材的晶格可能決定磊晶原子的排列。低 壓及高溫的情況(如CVD)利於生長立方晶 格，而在高壓低溫時(如 PVD)原子排序傾 向六方聯結
格。前者比後者緊密，具有較高的原子密
度及電子能隙；後者較鬆散，因此熱脹冷
縮稍快。晶格成形時若壓力較大或溫度較
低會形成六方晶系，反之則易長出立方晶
系。由於兩者的平衡能量差異甚小。這時
基材的晶格可能決定磊晶原子的排列。低 壓及高溫的情況(如CVD)利於生長立方晶 格，而在高壓低溫時(如 PVD)原子排序傾 向六方聯結
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