氣等鈍氣，不進行任何的氣體反應，只是利用高溫進行回火，用於多項製程，如離子植入（ion implantation）及矽酸鹽化（silicidation）之後，使晶格重排並消除應力，硼磷矽酸鹽玻璃（Borophospho-silicate Glass （BPSG））的回火，以及Silicide (W, Co) 的形成等等。
Electron Beam Evaporator_电子/电路_工程科技_专业资料
Electron Beam Evaporator 加熱鎢絲使外層電子動能大於束縛能而逸出， 並利用高電位差加速電子及磁場控制電子束軌 跡，使其撞擊到蒸鍍源產生高熱讓蒸鍍源部分 蒸發為氣體，並在高真空的環境下附著在被鍍 物上。目前實驗室的電子束蒸度系統主要應用 在製做電性量測的接點，目前提供 Al, Au, Ti, Ni 等金屬蒸鍍。 電子束蒸鍍(E-Gun Evaporation) 相較於熱蒸鍍的方式電子束蒸鍍的方法有其下列的優點。 1.可聚焦的電子束，能局部加溫元素源，因不加熱其他部分而避免污染。 2. 高能量電子束能使高熔點元素達到足夠高溫以產生適量的蒸氣壓。 CVD - 化學氣相沉積 1.利用化學反應方式，於反應器內，將反應物生成固態生成物於基板上 2.藉反應氣體間的化學反應產生固態生成物，並沉積在晶片表面的薄膜沉積技術 快速熱退火（RTA）退火的目的：退火能夠加熱被注入矽片，修復晶格 ， 缺陷；還能使雜質原子移動到晶格點，將其激活高溫爐退火是在反應爐中通入氬氣或氮 氣等鈍氣，不進行任何的氣體反應，只是利用高溫進行回火，用於多項製程，如 離子植入（ion implantation）及矽酸鹽化（silicidation）之後，使晶格重排並消 除應力，硼磷矽酸鹽玻璃（Borophospho-silicate Glass （BPSG） ）的回火，以 及 Silicide (W, Co) 的形成等等。 快速熱退火（RTA） 用極快的升溫和在目標溫度（一般是 1000 ： ℃）短暫的持續時間對矽片進行處理 快速的升溫過程和短暫的持續時間能夠在 晶格缺陷的修復、激活雜質和最小化雜質擴散三者間取得優化 描述溝道效應， 控制溝道效應的四種方法 溝道效應 ：當注入離子未與硅原子碰撞減速， 注入過程中有 4 種方法控制溝道 而是穿透了晶格間隙時，就發生了溝道效應 效應： *傾斜矽片*掩蔽氧化層*矽預非晶化*使用質量較大的原子 消光係?越大﹐光振幅衰減越迅速﹐進入?屬內部的光能越少﹐反射?越高 消光係數，衡量光在材料傳播過程中衰減程度的物理量.折射率和消光係數 是薄膜基本的光學特性,折射率夠大、消光係數夠小是好的薄膜所必須擁有的。 破壞性干涉： 所以當抗反射膜的光學厚度為波長的四分之一奇數倍時，就可使其 波長的光的反射率趨近為零。 BSF 金屬層可以增加載子的收集，還可回收沒有 被吸收的光子 Czochralski method 柴式長晶法。 是將結晶之素材，放置在以石墨，石英，氮化硼或白金製成的坩堝內，經由 電 阻 加 熱 或 高 頻 感 應 加 熱 等 方 式，將 材 料 加 以 熔 解 且 保 持 在 較 融 點 稍 高 的 溫 度，再將單結晶的種子結晶，浸泡在該融液待充分適應後，緩慢拉起，形成 具 有 種 子 結 晶 方 位 排 列 之 較 大 圓 柱 狀 單 結 晶 方 法。已 形 成 之 結 晶 因 和 容 器 沒 有接觸，因此不會受到機械應力，可獲得較為良質之結晶。 費米能階 1. 所謂費米能階~~金屬內的電子因苞利不相容原理~~故不能每一個電子都在 最低的能階~~便一個一個依序往高能階填直到最後一個填進的那個能階便 是費米能階 2. 價帶的最高能量狀態叫費米能級 3. "單一電子所擁有的最大動能"所以畫能帶圖來看的話，在 T=0K 的時候半導 體的價帶應該是全滿的 所以無法導電~~也因此費米能階此時應該是低於導 帶的高度，所以費米能階在零度 K 時的位置應在價帶的頂端(因為導帶是空 的) ，對於無參雜半導體他是要讓某個溫度電子濃度和電動濃度相同 所定 出來的地方，有 dopant 的話，就看自由載子量來決定費米能階位置
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