phymath999: 电子和空穴在偏压下被分别注入到电子传输层(n型)和空穴传输层(p型)半导体中, 然后在界面处复合发光

Tuesday, May 26, 2015

电子和空穴在偏压下被分别注入到电子传输层(n型)和空穴传输层(p型)半导体中, 然后在界面处复合发光

[PDF]國立聯合大學光電工程學系半導體能帶理論與載子濃度電子能 ...

www2.nuu.edu.tw/~eo/.../10103.pdf

便分裂成6 條，以容納結晶後之6 個原子之所有電子. Pauli不相容 .... 原子能階圖：(a)二個孤立原子，(b ) 二個原子結晶後原子間 ..... 料呈現n 型，且費米能階在本質能階.

highscope.ch.ntu.edu.tw/wordpress/?p=19216

2011年1月6日 - 摻雜施體原子或受體原子，對於材料的費米能階偏向何一能帶，亦扮演 ... 完美結晶對於材料是很重要的，因為結晶結構的缺陷(像錯位、雙晶面和疊層 ...

psroc.phys.ntu.edu.tw/bimonth/v28/831.pdf

在尺寸縮小到幾個奈米時，即接近結晶材料塊材. 的費米波長 ... 結晶塊材裡，由於原子間距離夠近，空間中排列 ... 階的能量差，即能階分裂大小隨著奈米顆粒內費米能.

wenku.baidu.com/view/2d87ee86e53a580216fcfea7.html

2012年8月23日 - 是將結晶之素材，放置在以石墨，石英，氮化硼或白金製成的坩堝內，經由 ... 所謂費米能階~~金屬內的電子因苞利不相容原理~~故不能每一個電子都 ...

www.google.com/patents/CN103069553A?cl=zh - 轉為繁體網頁

2013年4月24日 - 在通过第2结晶层和绝缘层构成MOS界面时，MOS界面的费米能级的移位A[eV]以Λ = q/ε 0X (d/ε )ΕΧΝ2近似。于是，在场效应晶体管为N通道型时（ ...

chem.scichina.com:8081/.../downloadArticleFile.do?...id... 轉為繁體網頁

本文首先阐述了我们对结晶性有机半导体异质结效应的理解, 然后给出了有机. 异质结在半导体 .... 能级高于F16CuPc的费米能级, 它们接触后所形成的. 异质结完全 ...

eo.ntut.edu.tw/ezfiles/45/1045/attach/.../pta_7604_2270772_42757.pdf

2011年11月15日 - 有三種結晶型：銳鈦礦（Anatase）、金紅石（Rutile）與板鈦礦（Brokkite） ..... 其中k為波茲曼常數(Boltzmann constant)，T為絕對溫度，EF為費米能階( ...

www.jim.org.cn/fileup/PDF/19980206.pdf 轉為繁體網頁

由李峥著作 - ‎1994 - ‎被引用 2 次 - ‎相關文章

1998年2月6日 - 产生了晶界势垒. 晶粒内部在费米能级之下可能存在有体深能级一般. 情况下,. 这些体深能级中的电子不被激发. 但是当体深能级随电子导带向上弯曲,.

ir.nctu.edu.tw/bitstream/11536/51935/9/151609.pdf

由彭偉倫著作 - ‎2003 - ‎相關文章

使用XRD 來分析ITO 薄膜的結晶性與霍爾量測研究其材料特性的改變等。將ITO 導電 ..... 而真空能階和費米能階(Fermi energy(EF)之間差距的能量定義. 為材料的功 ...

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