半導體中的電子所具有的能量被限制在基態與自由電子之間的幾個能帶裡,在能帶內部電子能量處於準連續狀態,而能帶之間則有帶隙相隔開,電子不能處於帶隙內。當電子在基態時,相當於此電子被束縛在原子核附近;而相反地,如果電子具備了自由電子所需要的能量,那麼就能完全離開此材料。
在價電帶內的電子獲得能量後便可躍升到導電帶,而這便會在價帶內留下一個空缺,也就是所謂的電洞。導電帶中的電子和價電帶中的電洞都對電流傳遞有貢獻,電洞本身不會移動,但是其它電子可以移動到這個電洞上面,等效於電洞本身往反方向移動。相對於帶負電的電子,電洞的電性為正電。
由化學鍵結的觀點來看,獲得足夠能量、進入導電帶的電子也等於有足夠能量可以打破電子與固體原子間的共價鍵,而變成自由電子,進而對電流傳導做出貢獻。
半導體和導體之間有個顯著的不同是半導體的電流傳導同時來自電流與電洞的貢獻,而導體的費米能階則已經在導帶內,因此電子不需要很大的能量即可找到空缺的量子態供其跳躍、造成電流傳導。
固體材料內的電子能量分布遵循費米-狄拉克分佈。在絕對零度時,材料內電子的最高能量即為費米能階,當溫度高於絕對零度時,費米能階為所有能階中,被電子占據機率等於0.5的能階。半導體材料內電子能量分布為溫度的函數也使其導電特性受到溫度很大的影響,當溫度很低時,可以跳到導電帶的電子較少,因此導電性也會變得較差。
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