半导体光电化学-I10_图文_百度文库
wenku.baidu.com/view/6783d958be23482fb4da4c58.html
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2011年3月27日 - 本征半导体中部分电子热激发从价带跃迁到导带? 导带的 ... EV p0 ? NV exp( ? ) kT 由费米能级位置可以求得平衡时电子空穴浓度 NC NC E F ?电子科技大学物理光学第四章- 126文库
www.126doc.com/p-43092103.html
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2014年9月18日 - 禁带宽度随温度变化4 3 2 能量（eV） 1Ge4 Si 3 2 能量（eV） 1 Eg 0 ... 载流子：电子、第三节半导体中杂质和缺陷能级
jpkj05.sust.edu.cn/无机材料物理性能/.../6教材电导5.htm
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例如：某晶体的晶格常数为5×10 -8cm ，振动频率为1012Hz ，势垒U=0.5eV，在T=Patent CN101562205A - 纳米结构及其制造方法- Google ...
www.google.com/patents/CN101562205A?cl=zh - 轉為繁體網頁
2009年10月21日 - 高分辨透射电镜图解了结晶完整性、界面质量以及晶格常数的变化，并从高于InP势垒的电子热激发所导致的电流推导出0.6eV的导带移位。 在此方法 ...钼矾氧化物低维纳米材料的水热制备及其结构和性能研究 ...
cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10358-2007098176.htm
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由 胡晓凯 著作 - 2007
... 纳米带电阻的五万分之一；电阻—温度测量表明，H_xMoO_3纳米带电导行为符合掺杂半导体，遵从指数变化规律，并且计算得到电子热激发活化能0.19 eV。 3．半导体物理与器件1.1——第四章_文档资料库
m.03964.com/read/ab0f8f99eaaa2250d8ac1ac9.html
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Ev 半导体物理与器件 §4.1 半导体中的载流子载流子： 载流子：在半导体内可以 ..... 带）移动，导带电子浓度减少，空穴浓度增加过程： 过程：价带电子热激发到受主能级 ...室温弹道场效应管_好搜问答 - 奇虎
wenda.haosou.com/search/?q=室温弹道场效应管
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3、晶体管是以能量比半导体中电子热激发能量(室温下0.026eV)大不了多少的"温热"
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