有關 超导二级相变和环境没有热交换 的學術文章 | |
630kVA 三相高温超导变压器的研制和并网试验 - 王银顺 - 被引用 9 次
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Patent CN103059815A - 小滞后损耗的一级相变La(Fe,Si ...
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2013年4月24日 - 本发明提供了一种小滞后损耗的一级相变La(Fe，Si)13基磁热效应材料及其 ... 到二Patent WO2013060267A1 - 小滞后损耗的一级相变La(Fe,Si ...
www.google.com.ar/patents/WO2013060267A1?cl=zh
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本发明提供了一种小滞后损耗的一级相变La(Fe,Si)13基磁热效应材料及其制备方法 ... 里温度上升， 一级相变性质减弱， 并逐渐过渡到二级（二级相变没有滞后损耗）， 滞后 ... 相界摩擦力等等； 二是非本征因素： 如变场速度、 与周围环境的热交换等等。 ..... 射线衍射仪为Rigaku公司生产， 型号为RINT2400； 超导量子干涉振动样品磁强 ...轉為繁體網頁
李政道用“蜜蜂”描述超导 - 物理所电子期刊
wls.iphy.ac.cn/emagazine/news.php?id=10061
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G-L理论以朗道的二级相变理论为基础，假设了超导态和正常态之间的相变可以用一个所谓 ... 在BCS理论框架下，电子-电子配对是通过交换“虚”声子而实现的。 .... 中，实验发现在欠掺杂区域，在Tc以上时材料还没有进入超导态，已经有能隙形成。 ... 冰箱（即低温环境下）里，难道还在乎里面还有一只小老鼠（即电子配对媒介“胶水”）么？轉為繁體網頁
超导电性_百度百科
baike.baidu.com/view/57056.htm
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从电阻不为零的正常态转变为超导态的温度称为超导转变温度或超导临界温度，用Tc 表示。 .... 超导态与正常态间的相互转变是二级相变（相变时无体 ... 它认为超导电性的起因是费米面附近的电子之间存在着通过交换声子而发生的吸引作用， ... 超导体还可用来制作超导磁体，于常规磁体相比，它没有焦耳热，无需冷却；轻便：轉為繁體網頁
[PDF]純鈦及鈦合金特性及製程介紹
www.cie.org.tw/khc/magaz2101/1-純鈦及鈦合金特性及製程介紹.pdf
超高. 強度鋼. Aermet310. 2,172. 7.8. 278. 2.耐蝕性佳. 鈦在常溫下於表面會 ... 銹鋼在氧化性環境下皆能抵抗腐蝕，但鈦較. 不銹鋼更能抵抗氯化物的腐蝕環境(圖2)，常. 用於化工桶槽、板式及管式熱交換器。 ... 常是和水作用形成的，若鈦暴露於完全沒有 ... 太、超導等低溫使用的首選材料。 ..... (3)趙永慶，鈦合金相變及熱處理中南大學出.[DOC]2、 换热器设计
www.3jxs.com/upload/taskfile/20141226143123_754.doc
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为了达到基站标准的环境要求，每个通信基站均配备了两台以上的空调，并且这些 ... 建议采用换热设备，利用冬季、春季、秋季室外较低的自然环境温度进行热交换，将 ... 多腔扁平式铝热管技术是一种具有国际领先水平的，具有超导热性能的导热元件。轉為繁體網頁
凝聚体是位相一致的整体，没有热运动,导体从正常态到超导态 ...
phymath999.blogspot.com/2015/10/blog-post_85.html
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2015年10月10日 - 两级相变时体系与外界是无热量交换的，但体系是进入一个新的热力学状态。 ... 在导体从正常态到超导态转变时，导体作为一个整体发生了第二级相变。 ... 有了液氦就有一个多少算稳定的低温环境，在这个低温环境中能把平常室温下 ...轉為繁體網頁
[PPT]超流涡旋及其观测效应
vega.bac.pku.edu.cn/~rxxu/ccast03/PengQH.ppt
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a） 超导性: 每一种物质都有一个临界温度(称为相变温度) Tλ。 ... Cooper对之间彼此可看成独立的，它们没有相互作用，因而没有摩察作用。 ... 通过(以格点离子为枢纽)轉為繁體網頁
半导体光电化学-I10_图文_百度文库
wenku.baidu.com/view/6783d958be23482fb4da4c58.html
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2011年3月27日 - 本征半导体中部分电子热激发从价带跃迁到导带? 导带的 ... EV p0 ? NV exp( ? ) kT 由费米能级位置可以求得平衡时电子空穴浓度 NC NC E F ?电子科技大学物理光学第四章- 126文库
www.126doc.com/p-43092103.html
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2014年9月18日 - 禁带宽度随温度变化4 3 2 能量（eV） 1Ge4 Si 3 2 能量（eV） 1 Eg 0 ... 载流子：电子、第三节半导体中杂质和缺陷能级
jpkj05.sust.edu.cn/无机材料物理性能/.../6教材电导5.htm
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例如：某晶体的晶格常数为5×10 -8cm ，振动频率为1012Hz ，势垒U=0.5eV，在T=Patent CN101562205A - 纳米结构及其制造方法- Google ...
www.google.com/patents/CN101562205A?cl=zh - 轉為繁體網頁
2009年10月21日 - 高分辨透射电镜图解了结晶完整性、界面质量以及晶格常数的变化，并从高于InP势垒的电子热激发所导致的电流推导出0.6eV的导带移位。 在此方法 ...钼矾氧化物低维纳米材料的水热制备及其结构和性能研究 ...
cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10358-2007098176.htm
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由 胡晓凯 著作 - 2007
... 纳米带电阻的五万分之一；电阻—温度测量表明，H_xMoO_3纳米带电导行为符合掺杂半导体，遵从指数变化规律，并且计算得到电子热激发活化能0.19 eV。 3．半导体物理与器件1.1——第四章_文档资料库
m.03964.com/read/ab0f8f99eaaa2250d8ac1ac9.html
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Ev 半导体物理与器件 §4.1 半导体中的载流子载流子： 载流子：在半导体内可以 ..... 带）移动，导带电子浓度减少，空穴浓度增加过程： 过程：价带电子热激发到受主能级 ...室温弹道场效应管_好搜问答 - 奇虎
wenda.haosou.com/search/?q=室温弹道场效应管
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3、晶体管是以能量比半导体中电子热激发能量(室温下0.026eV)大不了多少的"温热"
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