電子能層不變的前提下,*著核電荷數的增加,*子核對電子的吸引作

*於鑭系收縮的原因。簡言之,這種效應是由於 4f *子的屏蔽效應不完全

*成的,* d *過渡元素收縮的原因類似**多電子原子中,*果不考慮同帶負

*的電子之間的排斥作用,*麼電子與核的平均間距主要是由它所處的亞層所決

*的**電子能層不變的前提下,*著核電荷數的增加,*子核對電子的吸引作

*增強,*子與核的平均間距將會減少,*導致原子半徑的縮小**實際上,*

*子原子中由核電荷增大引起的原子半徑減少會因為電子之間的排斥作用而被

*分地抵消(屏蔽效應),*當電子逐漸填充到外層的原子軌道時,*層的電子

*部分地屏蔽掉原子核所產生的電荷,*外層電子所感受到的實際電荷比核電荷
*要小。對於同一能級的電子,屏蔽效應按照 s,p,d,f *順序遞減。通常來


*,*一個周期中的某個亞層被逐漸地填入電子時,*子半徑將會下降**一特
*在鑭系中表現得尤為顯著。這是因為,這些元素中 4f *層上的電子不能很好


*減少外層電子(n=5 * n=6)所感受到的核電荷,無法有效地抵消因核電荷增

*而產生的半徑減少**樣就會造成*鑭系收縮」*象**系元素的離子半徑從

*(III)的 106.1 pm *直減少到鑥(III)的 84.8 pm。