Thursday, April 16, 2015

由于无能隙自旋半导体在费米面附近的电子激发是100%自旋极化,并且不需要激发能; 全光的量子开关

NanoScience 奈米科學網-二硫化鉬電晶體能屈能伸

https://nano.nchc.org.tw/index.php?apps=news&mod=welcome...
2013年6月23日 - 在直接能隙材料中，電子-電洞對的激發比在間接能隙材料中效率高得多， ... 電子線路應用中，它可能會是「神奇材料」石墨烯(純石墨烯並無能隙)的競爭對手。 ... 上製作出多層二硫化鉬電晶體，其開關電流比足以媲美製作在矽基板上的 ...

  • 无能隙超导电性（gaplesssuper-conductivity）--中国百科网

    www.chinabaike.com/article/.../200811241600003.html
    轉為繁體網頁
    在某些情况下，电子能谱中能隙为零时仍具有超导电性，称无能隙超导电性。简单的例子，例如载电流超导体，此时给出的激发能量是：EK=EK0 pK·vs，vs为超导电流 ...
    缺少字詞： 开关

  • 李有泉研究小组TCMP - 个人主页

    mypage.zju.edu.cn/tcmp/583109.html
    轉為繁體網頁
    量子介观电路理论：提出电荷离散的介观电路量子理论并给出电荷-电流测不准关系 ... 严格地证明了该模型中基态是非简并的，而激发态的所有能带填充是无能隙的。
    缺少字詞： 开关

  • 14物理FIT)_百度文库

    wenku.baidu.com/.../b145e625b4daa58da0114a75.html?r...
    轉為繁體網頁
    2013年3月23日 - 粒子” 都是真空“场” 的量子激发。 ... 换句话说， 拓扑绝缘体的体电子态是有能隙的绝缘体， 而其表面则是无能隙的金属态。 .... 此三明治结构的双门场效应管具有电场增强的输运能隙， 且电流开关比相比纯单层石墨烯场效应管大8 倍。

  • 量子多体理论_百度百科

    baike.baidu.com/view/6629831.htm
    轉為繁體網頁
    3.3.3 低能集体激发和低能有效理论. 3.3.4 波也是粒子. 3.3.5 超流体的玩具宇宙. 3.3.6 自发对称破缺和无能隙激发. 3.3.7 对有限 ... 3.4.2 电流关联函数和电磁场响应.
    缺少字詞： 开关

  • [PDF]耦合量子网络的拓扑相，量子传输与量子操纵 - 中国科学院 ...

    www.itp.ac.cn/~suncp/thesis/Shuo_Yang_2010.pdf
    激发导致不同的相图，具有有能隙和无能隙的谱结构。可以通过研究能谱边 ...... 一个典型例子是单光子三极管，它是一个全光的量子开关，通过光子的状态. 来控制光的 ...... 与传统电流中打开或关闭电子透射的门电压起到相同的作用。量子版. 的开关 ...

  • [DOC]朱振刚 - 中国科学院

    m.cas.cn/tzgg/201405/W020140512381459042200.docx
    轉為繁體網頁
    后者证明门电压可控输出电流的自旋极化和正负，有重要应用价值。提出了一种新的光学自旋场效应管，其中激光控制器件的操作，器件的尺寸更小，开关速度更快。 .... 其他原因打开能隙时，能斯特系数随化学势变大呈双峰结构；无能隙时，呈单峰结构。 ... 构建光晶体管，并设计新型圆极化光检测器件和光激发能斯特器件，研究其性能。

  • 科学家对拓扑绝缘体探析研究或将信息科学带到_苏州皇冠 ...

    www.weichuang1.com/fuwuxiangmu/20141107_1270.html
    轉為繁體網頁
    2014年11月7日 - ... 系，样本在发展进程中会有轻微布局改变）的要领激发拓扑绝缘态，这两种 ... 这类质料差异于传统的“金属”和“绝缘体”，其体内部为有能隙的绝缘态，其外貌则是无能隙的金属态。 ... 这是用电子自旋来给信息编码，而不是用电流开关。

  • 石墨烯纳米器件的量子输运研究--CNKI机构馆在线

    lib.cnki.net/cdmd/10487-1011110027.html
    轉為繁體網頁
    由于无能隙自旋半导体在费米面附近的电子激发是100%自旋极化,并且不需要激发能,而且这种无能隙自旋半导体的载流子的移动速度很快,所以这种纯自旋流开关在 ...

  • 石墨烯纳米器件的量子输运研究--《华中科技大学》2011年博士 ...

    cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10487-1011110027.htm
    轉為繁體網頁
    由 张德华 著作 - ‎2011
    石墨烯石墨烯纳米带掺杂异质结负微分电阻类二极管隧穿磁阻纯自旋流开关. ... 由于无能隙自旋半导体在费米面附近的电子激发是100%自旋极化,并且不需要激发能,而且
    • Posted by at

    No comments:

    Post a Comment

    Subscribe to: Post Comments (Atom)